Hochreines Siliziumkarbidpulver
SiC-Pulver ist ein Halbleitermaterial mit ausgezeichneter elektrischer Leitfähigkeit, was es zu einem idealen Material für die Verwendung in elektronischen Geräten macht.
Beschreibung
Beschreibung
Hochreines Siliziumkarbid (SiC)-Pulver ist ein synthetisches Material mit einem Reinheitsgrad von 99,9 Prozent oder höher. Es wird hergestellt, indem Silizium und Kohlenstoff bei hohen Temperaturen synthetisiert werden, um ein hochkristallines Material zu schaffen, das extrem hart und langlebig ist. Hochreines SiC-Pulver wird aufgrund seiner außergewöhnlichen Eigenschaften häufig in Hightech-Anwendungen wie Halbleitern, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung eingesetzt, darunter:
Hohe Wärmeleitfähigkeit: Hochreines SiC-Pulver hat eine Wärmeleitfähigkeit, die höher ist als die der meisten Metalle, was es zu einem hervorragenden Material für den Einsatz in Hochtemperaturanwendungen macht.
Hohe Festigkeit und Härte: Hochreines SiC-Pulver ist extrem hart und hat eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit, wodurch es ideal für den Einsatz in Anwendungen ist, die eine hohe Festigkeit und Haltbarkeit erfordern.
Hohe chemische Beständigkeit: SiC-Pulver ist sehr beständig gegen chemische Korrosion und kann einer Vielzahl von Säuren, Basen und anderen Chemikalien ausgesetzt werden.
Spezifikation
| Eigentum | Wert |
|---|---|
| Reinheit | Größer oder gleich 99,9 Prozent |
| Kristallstruktur | Hexagonal (6H-SiC) oder kubisch (3C-SiC) |
| Partikelgrößenverteilung | D50: 0.5-5 μm; D90: 5-10 μm; D100: 10-50 μm |
| Spezifische Oberfläche (m2/g) | 5-20 |
| Dichte (g/cm3) | 3.20-3.22 |
| Farbe | Schwarz |
| Härteskala nach Mohs | 9.5 |
| Wärmeleitfähigkeit (W/mK) | 150-200 |
| Wärmeausdehnungskoeffizient (10-6/K) | 4.0-4.5 |
Hochreines SiC-Pulver ist in der Regel in einer Reihe von Partikelgrößen erhältlich, die von Submikron bis zu mehreren Millimetern Größe reichen. Es kann in versiegelten Behältern verpackt werden, um das Pulver während der Lagerung und des Transports vor Kontamination und Abbau zu schützen.
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