Silizium-Kohlenstoff
Natürlicher Schleifmitteltyp: Siliziumkarbid
Künstlicher Schleifmitteltyp: Siliziumkarbid-Schleifmittel
Anwendung: Abrasiv, feuerfest, metallurgisch
Beschreibung
Beschreibung
Siliziumkarbid (SiC)-Halbleiter ist ein Halbleiterbauelement aus Siliziumkarbidmaterial. Siliziumkarbid ist ein Kristall, der aus einer stabilen Kombination von Kohlenstoff- und Siliziumelementen mit einzigartigen physikalischen und chemischen Eigenschaften besteht und ihn zu einem idealen Material für die Herstellung hocheffizienter, hochtemperatur- und strahlungsbeständiger Geräte macht.
SiC-Halbleiter werden vor allem aufgrund ihrer hohen Temperaturstabilität, Strahlungsbeständigkeit, hohen Durchbruchfeldstärke, geringen Leitungsverluste und hohen Wärmeleitfähigkeit in den Bereichen Elektronik, Energie und Energie häufig eingesetzt.
Spezifikation
Zusammenfassung des SiC-Marktes am 8. September 2023
| Einleitung: Die aktuellen Marktpreise sind chaotisch. Die folgenden Preise dienen nur als Referenz. Hersteller können die Preise entsprechend ihren tatsächlichen Gegebenheiten festlegen. | |||
| Produkt | Grad | Das heutige Zitat | Bemerkungen (Nordwest-Territorien) |
| Siliziumkarbid | 98 | 7200-7300 | -- |
| 88 | 5000-5100 | -- | |
| 88# Siliziumkarbid | |||
| Bereich | Das heutige Zitat | Höhen und Tiefen | |
| Gansu | 5000-5100 | -- | |
| Ningxia | 5100-5200 | -- | |
Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumhalbleitern (Si) haben SiC-Halbleiter eine Bandlücke, die dreimal so groß ist wie die von Silizium, und ein Durchbruchfeld, das achtmal so groß ist wie die von Silizium. Dadurch können SiC-Halbleiter höheren Temperaturen, stärkeren elektrischen Feldern und einer Umgebung mit stärkerer Strahlung standhalten. Darüber hinaus verfügen SiC-Halbleiter über eine hohe Trägermobilität und eine hervorragende Beständigkeit gegen chemische Korrosion, was sie zu vielversprechenden Kandidaten für den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen, hohem Druck, hoher Frequenz und hoher Strahlung macht.
Die Anwendungen von SiC-Halbleitern im elektronischen Bereich umfassen hauptsächlich Leistungsgeräte, Sensoren, Hochfrequenzgeräte und Logikgeräte. Im Energiebereich werden SiC-Halbleiter hauptsächlich in leistungselektronischen Hochspannungs-, Hochtemperatur- und Hochleistungsgeräten wie Wechselrichtern, Motorantrieben, Solarwechselrichtern, Netzteilen usw. eingesetzt. Im Energiebereich werden SiC-Halbleiter verwendet Wird hauptsächlich zur Umwandlung und Speicherung erneuerbarer Energien wie Wind- und Sonnenenergie sowie zum Laden und Fahren von Elektrofahrzeugen verwendet.
Der Herstellungsprozess von SiC-Halbleitern umfasst hauptsächlich Schritte wie Wachstum, Schneiden, Polieren, Metallisieren und Verpacken. Unter anderem ist das Wachstum ein wichtiger Schritt bei der Herstellung von SiC-Halbleitern, der den Einsatz von Hochtemperatur-, Hochdruck- und hochreinen Rohstoffen sowie komplexer Wachstumsausrüstung erfordert.
Obwohl SiC-Halbleiter viele Vorteile bieten, gibt es auch einige Herausforderungen bei der Herstellung und Anwendung, wie z. B. hohe Herstellungskosten, Oberflächenpassivierung, Metallverunreinigungen und thermische Stabilität. Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Technologie werden SiC-Halbleiter in Zukunft häufiger eingesetzt und gefördert.
Häufig gestellte Fragen
F: Sind Sie ein Handelsunternehmen oder ein Hersteller?
A: Wir sind ein Hersteller mit Sitz in der Stadt Anyang, Provinz Henan, China. Alle unsere Kunden kommen aus dem In- und Ausland.
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A: 3000 Tonnen pro Monat. Wir verfügen über Lagerbestände, um den Kundenanforderungen gerecht zu werden. Normalerweise können wir die Ware innerhalb von 7-15 Tagen nach Ihrer Zahlung liefern.
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