Siliziumkarbid SiC 1-5 mm

Siliziumkarbid (SiC) ist eine synthetische Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff. Es ist ein sehr haltbares und hartes Material mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, hohem Schmelzpunkt und hoher elektrischer Leitfähigkeit. SiC wird durch eine Kombination aus hoher Temperatur und Druck hergestellt. Das gebräuchlichste Verfahren zur Herstellung von SiC ist der Acheson-Prozess, der die folgenden Schritte umfasst:

Rohstoffaufbereitung: Die Rohstoffe zur Herstellung von SiC sind Quarzsand und Petrolkoks. Diese Materialien werden sorgfältig ausgewählt und in den gewünschten Anteilen gemischt. Andere Materialien wie Sägemehl oder Salz können ebenfalls hinzugefügt werden, um die Porosität des Endprodukts zu verbessern.

Ofenbeschickung: Die Rohstoffe werden in einen mit Kohlesteinen ausgekleideten elektrischen Widerstandsofen gegeben. Der Ofen wird auf eine Temperatur von etwa 2200 Grad erhitzt, wodurch der Kohlenstoff im Koks mit der Kieselsäure zu SiC reagiert.

SiC-Bildung: Wenn die Temperatur des Ofens ansteigt, wird die Reaktion zwischen Kohlenstoff und Siliziumdioxid heftiger und es beginnen sich SiC-Kristalle zu bilden. Die SiC-Kristalle wachsen mit fortschreitender Reaktion, und schließlich wird eine feste SiC-Masse gebildet.

Zerkleinern und Sieben: Die feste SiC-Masse wird zerkleinert und auf die gewünschte Größe gesiebt. Die Größe der SiC-Körner kann je nach Anwendungszweck variieren.

Chemische Behandlung: Die SiC-Körner können einer chemischen Behandlung unterzogen werden, um Verunreinigungen zu entfernen, die ihre Qualität beeinträchtigen könnten. Die Behandlung kann die Verwendung von Säure, Alkali oder anderen Chemikalien umfassen.

Verpackung und Lagerung: Das fertige SiC-Produkt wird dann in geeignete Behälter verpackt und in einem trockenen, gut belüfteten Bereich gelagert, bis es versandfertig ist.