Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid-Pulver schwarz
Neben der Verpackung bieten einige SiC-Pulverhersteller möglicherweise auch zusätzliche Verarbeitungsdienste wie Sieben, Klassieren und Oberflächenbehandlung an. Beim Sieben wird das SiC-Pulver in verschiedene Partikelgrößenbereiche getrennt, während beim Klassieren das Pulver nach Qualität oder Reinheit sortiert wird. Die Oberflächenbehandlung kann das Hinzufügen einer Beschichtung oder das Modifizieren der Oberfläche des Pulvers umfassen, um seine Eigenschaften oder Kompatibilität mit anderen Materialien zu verbessern.
Beschreibung
Beschreibung
Siliziumkarbidpulver wird typischerweise durch einen Prozess namens carbothermische Reduktion hergestellt, bei dem eine Mischung aus Siliziumdioxid (SiO2) und Kohlenstoff (C) in einem Elektroofen erhitzt wird. Die hohen Temperaturen verursachen eine Reaktion zwischen dem Siliziumdioxid und dem Kohlenstoff, wodurch Siliziumkarbid (SiC) und Kohlenmonoxid (CO) entstehen. Das resultierende SiC wird dann zerkleinert und zu einem feinen Pulver gemahlen.
Sobald das SiC-Pulver hergestellt ist, wird es typischerweise verpackt und in verschlossenen Behältern gelagert, um es vor Feuchtigkeit und anderen Verunreinigungen zu schützen. Übliche Verpackungsmaterialien umfassen Plastikbeutel, Beutel aus Aluminiumfolie und versiegelte Metalldosen. Es ist wichtig, das Pulver sorgfältig zu handhaben und Verunreinigungen zu vermeiden, da Verunreinigungen die Eigenschaften des SiC beeinträchtigen und seine Leistung verringern können.
Spezifikation
Hier ist eine Tabelle mit einigen gängigen Spezifikationen für Siliziumkarbidpulver:
Reinheit: Typischerweise 99 Prozent oder höher, je nach Verwendungszweck
Partikelgröße: Kann je nach Anwendung von Mikrometern bis zu mehreren Millimetern reichen
Farbe: Grün oder Schwarz
Härte: Mohs 9,5
Dichte: Typischerweise etwa 3,2 g/cm3
Schmelzpunkt: 2.730 Grad (4.946 Grad F)
Wärmeleitfähigkeit: 370 W/mK bei Raumtemperatur für 6H-SiC, 490 W/mK für 3C-SiC
Spezifischer elektrischer Widerstand: 10^-3 Ohm-cm bis 10^5 Ohm-cm, abhängig von der Art des verwendeten SiC und der verwendeten Dotierstoffe


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