CZ-Siliziumwafer
CZ-Siliziumwafer werden üblicherweise in der Halbleiterindustrie als Substrate für die Herstellung von integrierten Schaltungen, Mikroprozessoren und anderen elektronischen Geräten verwendet. Sie werden wegen ihrer hohen Reinheit, geringen Defektdichte und hervorragenden elektrischen Eigenschaften geschätzt.
Beschreibung
Beschreibung
Ein CZ-Siliziumwafer ist eine Art Siliziumwafer, der unter Verwendung des Czochralski-Verfahrens (CZ) hergestellt wird, das ein beliebtes Verfahren zum Züchten von Einkristallen aus Silizium ist. Bei der CZ-Methode wird hochreines Silizium in einem Tiegel geschmolzen und dann langsam ein Impfkristall aus der Schmelze gezogen, während der Tiegel und der Impfkristall in entgegengesetzte Richtungen gedreht werden.
Wenn der Impfkristall aus der Schmelze gezogen wird, erstarrt das Silizium in einer zylindrischen Form um den Impfkristall herum. Das Ergebnis dieses Prozesses ist ein Einkristall aus Silizium, der frei von Defekten ist und einen hohen Reinheitsgrad aufweist.
Spezifikation
| Durchmesser | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" |
| Grad | Prime | ||||||
| Wachstumsmethode | CZ | ||||||
| Orientierung | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 > | ||||||
| Typ/Dotierstoff | P-Typ/Bor, N-Typ/Phos, N-Typ/As, N-Typ/Sb | ||||||
| Dicke (μm) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 | 775 |
| Dickentoleranz | Standard ± 25 μm, maximale Kapazitäten ± 5 μm | ± 20μm | ± 20μm | ||||
| Widerstand | 0.001 - 100 Ohm-cm | ||||||
| Oberfläche fertig | P/E , P/P, E/E, G/G | ||||||
| TTV (μm) | Standard< 10 um, Maximum Capabilities <5 um | ||||||
| Bogen/Kette (?m) | Standard<40 um, Maximum Capabilities <20 um | <40μm | <40μm | ||||
Beliebte label: cz Siliziumwafer
Anfrage senden
Das könnte dir auch gefallen
