300 mm monokristalliner Dummy-Siliziumwafer

Monokristalline Siliziumwafer werden durch Züchten eines Einkristalls aus Silizium aus einem Impfkristall unter Verwendung des Czochralski-Verfahrens hergestellt. Dabei wird ein kleiner Impfkristall in geschmolzenes Silizium getaucht und unter Rotation langsam herausgezogen, wodurch ein zylindrischer Barren entsteht. Der Barren wird dann mit Diamantdrahtsägen in dünne Wafer geschnitten.

Monokristalline Siliziumwafer sind gleichmäßige und fehlerfreie Substrate, die aus einem einzigen Siliziumkristall hergestellt werden. Sie haben typischerweise eine kreisförmige Form mit einem Durchmesser im Bereich von einigen Millimetern bis 450 mm oder mehr und einer Dicke von einigen Mikrometern bis zu mehreren hundert Mikrometern.

Monokristalline Siliziumwafer bieten hervorragende elektrische Eigenschaften, einschließlich hoher Ladungsträgermobilität, geringem Widerstand und hoher Durchschlagsfestigkeit, wodurch sie sich ideal für Hochleistungsanwendungen eignen. Sie haben auch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und können hohen Temperaturen standhalten, was für die Zuverlässigkeit der Geräte entscheidend ist.